Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica

En este artículo, integramos un Transistor de Efecto Campo Fin con aislantes de alta constante dieléctrica para investigar el diseño óptimo de transistores de efecto campo químico que brinden una mayor inductancia (resultando en una mayor relación de transmisión), una amplitud mejorada y resultados...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: Ahmed Mohammed, Arsen, Demirel, Hüseyin, Khalaf Mahmood, Zaidoon
Format: Online
Language:eng
Published: Universidad Nacional de Ingeniería (UNI) en Managua 2023
Online Access:https://www.camjol.info/index.php/NEXO/article/view/17445

Similar Items