Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica

En este artículo, integramos un Transistor de Efecto Campo Fin con aislantes de alta constante dieléctrica para investigar el diseño óptimo de transistores de efecto campo químico que brinden una mayor inductancia (resultando en una mayor relación de transmisión), una amplitud mejorada y resultados...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Ahmed Mohammed, Arsen, Demirel, Hüseyin, Khalaf Mahmood, Zaidoon
Formato: Online
Idioma:eng
Publicado: Universidad Nacional de Ingeniería (UNI) en Managua 2023
Acceso en línea:https://www.camjol.info/index.php/NEXO/article/view/17445

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