Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica

En este artículo, integramos un Transistor de Efecto Campo Fin con aislantes de alta constante dieléctrica para investigar el diseño óptimo de transistores de efecto campo químico que brinden una mayor inductancia (resultando en una mayor relación de transmisión), una amplitud mejorada y resultados...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Ahmed Mohammed, Arsen, Demirel, Hüseyin, Khalaf Mahmood, Zaidoon
Formato:	Online
Idioma:	eng
Publicado:	Universidad Nacional de Ingeniería (UNI) en Managua 2023
Acceso en línea:	https://www.camjol.info/index.php/NEXO/article/view/17445

id	NEXO17445
record_format	ojs
institution	Universidad Nacional de Ingeniería
collection	Nexo Revista Científica
language	eng
format	Online
author	Ahmed Mohammed, Arsen Demirel, Hüseyin Khalaf Mahmood, Zaidoon
spellingShingle	Ahmed Mohammed, Arsen Demirel, Hüseyin Khalaf Mahmood, Zaidoon Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica
author_facet	Ahmed Mohammed, Arsen Demirel, Hüseyin Khalaf Mahmood, Zaidoon
author_sort	Ahmed Mohammed, Arsen
description	En este artículo, integramos un Transistor de Efecto Campo Fin con aislantes de alta constante dieléctrica para investigar el diseño óptimo de transistores de efecto campo químico que brinden una mayor inductancia (resultando en una mayor relación de transmisión), una amplitud mejorada y resultados basados en sustancias. Se utilizó la detección de pH para probar el diseño. Investigamos la capacidad de respuesta y linealidad de dióxido de silicio, óxido e hafnio como materiales electromagnéticos para la detección de pH, así como su resistencia química en diversos ácidos. La relación de componentes y la forma del transistor de efecto campo Fin permiten corrientes elevadas y un canal de conducción plano más confiable que los nanocables de silicio convencionales. La arquitectura del Transistor de Efecto Campo Fin con hafnio como aislante de alta constante dieléctrica produjo los mejores resultados, con las características más lineales de generación y respuesta, y un rango dinámico más amplio. La estabilidad química del hafnio también fue la mejor. Por lo tanto, creemos que la combinación de Transistores de Efecto Campo Fin con alta constante dieléctrica y una alta relación de componentes puede proporcionar la equidad de proceso óptima para sensores basados en transistores de efecto campo. Los autores proponen una novedosa aproximación de inducción incrustada y continua con un resonador cuaternario. Solo se utiliza un conversor de corriente de voltaje modificado perjudicial, uno de los sintetizadores cuaternarios sugeridos, que utiliza una entrada Z, un rectificador y dos capacitores cruzados. En el emulador de circuito aislado unidireccional previsto, solo se utiliza un alimentador de salida eléctrica dividido personalizado con un electrodo Z único, dos interruptores y el primer capacitor neutro. La simulación de circuito enraizado continúa sugerida solo requiere un criterio de compatibilidad de componente pasivo específico. Además, el simulador de inductor conectado sin pérdidas sugerido produce una aplicación de filtro de anillo. Para ilustrar el rendimiento de todos los circuitos, se realizaron diversas simulaciones utilizando el software LTSPICE, el parámetro Cadence Virtuoso 7nm y análisis de datos.
title	Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica
title_short	Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica
title_full	Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica
title_fullStr	Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica
title_full_unstemmed	Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica
title_sort	análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica
title_alt	Analysis fin field-effect transistor design with high-k insulators
publisher	Universidad Nacional de Ingeniería (UNI) en Managua
publishDate	2023
url	https://www.camjol.info/index.php/NEXO/article/view/17445
work_keys_str_mv	AT ahmedmohammedarsen analysisfinfieldeffecttransistordesignwithhighkinsulators AT demirelhuseyin analysisfinfieldeffecttransistordesignwithhighkinsulators AT khalafmahmoodzaidoon analysisfinfieldeffecttransistordesignwithhighkinsulators AT ahmedmohammedarsen analisisdeldisenodeltransistordeefectocampofinconaislantesdealtaconstantedielectrica AT demirelhuseyin analisisdeldisenodeltransistordeefectocampofinconaislantesdealtaconstantedielectrica AT khalafmahmoodzaidoon analisisdeldisenodeltransistordeefectocampofinconaislantesdealtaconstantedielectrica
_version_	1805399710472601600
spelling	NEXO174452024-04-01T17:04:57Z Analysis fin field-effect transistor design with high-k insulators Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica Ahmed Mohammed, Arsen Demirel, Hüseyin Khalaf Mahmood, Zaidoon High-k insulators short circuit current electrical and chemical sensing improved dispersion voltage current conveyor Field Effect Transistor fractional oscillator lossless isolated inductor simulator band-pass filter Aislantes de alta constante dieléctrica Corriente de cortocircuito Detección eléctrica y química Convoyar de corriente de voltaje de dispersión mejorada Transistor de Efecto Campo Oscilador fraccional Simulador de inductor aislado sin pérdidas Filtro pasa-banda In this article, we integrate a Fin Field Effect Transistor with high-k insulators to investigate the optimal design for chemical field effect transistors in order to give higher inductance (resulting in a higher transmission relationship), improved amplitude, and outcome-based substance. pH sensing was utilised to test the design. We investigated the responsiveness and linearity of silicon dioxide, oxide, and hafnium oxide as pH-sensing electromagnetic materials, as well as their chemical resistance in various acids. The device’s huge component ratio and fin shape allow for high currents and a more dependable planar conducting channel than conventional silicon nanowires. The hafnium oxide Fin Field Effect Transistor architecture delivered the greatest results, with the most linear features of generation and turnover and a broader dynamic range. The chemical stability of hafnium oxide was also the best. As a result, we believe the large component ratio Fin Field Effect Transistors/high-k dielectric combination can provide the optimal process fairness for Field-Effect Transistor-based sensors. The authors propose a novel seamless embedded induction approximation with a quaternary resonator. Only one deleterious modified divergent voltage current conveyor, one of the suggested quaternary synthesisers, uses a Z input, a rectifier, and two crossed capacitive. In the intended unidirectional isolated circuit emulator, just one customised split electrical output feeder with a sole Z electrode, two switches, and the first neutral capacitor are used. The suggested seamless rooted circuit simulation just requires a specific passive constituent compatibility criterion. In addition, the suggested lossless grounded inductor simulator yields a ring filter application. To illustrate the performance of all the circuits, a variety of models using the LTSPICE software, the cadence virtuoso 7nm parameter, and data analyses were performed. En este artículo, integramos un Transistor de Efecto Campo Fin con aislantes de alta constante dieléctrica para investigar el diseño óptimo de transistores de efecto campo químico que brinden una mayor inductancia (resultando en una mayor relación de transmisión), una amplitud mejorada y resultados basados en sustancias. Se utilizó la detección de pH para probar el diseño. Investigamos la capacidad de respuesta y linealidad de dióxido de silicio, óxido e hafnio como materiales electromagnéticos para la detección de pH, así como su resistencia química en diversos ácidos. La relación de componentes y la forma del transistor de efecto campo Fin permiten corrientes elevadas y un canal de conducción plano más confiable que los nanocables de silicio convencionales. La arquitectura del Transistor de Efecto Campo Fin con hafnio como aislante de alta constante dieléctrica produjo los mejores resultados, con las características más lineales de generación y respuesta, y un rango dinámico más amplio. La estabilidad química del hafnio también fue la mejor. Por lo tanto, creemos que la combinación de Transistores de Efecto Campo Fin con alta constante dieléctrica y una alta relación de componentes puede proporcionar la equidad de proceso óptima para sensores basados en transistores de efecto campo. Los autores proponen una novedosa aproximación de inducción incrustada y continua con un resonador cuaternario. Solo se utiliza un conversor de corriente de voltaje modificado perjudicial, uno de los sintetizadores cuaternarios sugeridos, que utiliza una entrada Z, un rectificador y dos capacitores cruzados. En el emulador de circuito aislado unidireccional previsto, solo se utiliza un alimentador de salida eléctrica dividido personalizado con un electrodo Z único, dos interruptores y el primer capacitor neutro. La simulación de circuito enraizado continúa sugerida solo requiere un criterio de compatibilidad de componente pasivo específico. Además, el simulador de inductor conectado sin pérdidas sugerido produce una aplicación de filtro de anillo. Para ilustrar el rendimiento de todos los circuitos, se realizaron diversas simulaciones utilizando el software LTSPICE, el parámetro Cadence Virtuoso 7nm y análisis de datos. Universidad Nacional de Ingeniería (UNI) en Managua 2023-12-31 info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion Peer-Reviewed Article Artículo revisado por pares application/pdf https://www.camjol.info/index.php/NEXO/article/view/17445 10.5377/nexo.v36i06.17445 Nexo Scientific Journal; Vol. 36 No. 06 (2023); 892-905 Nexo Revista Científica; Vol. 36 Núm. 06 (2023); 892-905 1995-9516 1818-6742 eng https://www.camjol.info/index.php/NEXO/article/view/17445/21416 https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/

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