Desarrollo Teórico de la Energía de Excitones en Microcavidades Semiconductoras de Capas Delgadas Generadas en Materiales de ZnSe y CdSe

Se modela la energía del estado base para el electrón y hueco confinados en un pozo cuántico de paredes delgadas y altura de potencial finita, en una estructura semiconductora de ZnSe/CdSe/ZnSe, mediante el desarrollo de la ecuación transcendental, a partir de las ecuaciones de onda. Se presenta la...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Marroquín, Carlos, Euceda, Armando
Formato:	Online
Idioma:	spa
Publicado:	Universidad Nacional Autónoma de Honduras 2019
Acceso en línea:	https://www.camjol.info/index.php/fisica/article/view/9326

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spelling	FISICA93262020-12-15T17:12:08Z Theoretical Development of Exciton Energy in Semiconductor Microcavities of Thin Layers Generated in ZnSe and CdSe Materials Desarrollo Teórico de la Energía de Excitones en Microcavidades Semiconductoras de Capas Delgadas Generadas en Materiales de ZnSe y CdSe Marroquín, Carlos Euceda, Armando Transcendental Equation Quantum Well Exciton Photoluminescence Ecuación Trascendental Pozo Cuántico Excitón Fotoluminiscencia The base state energy for the electron and hollow confined in a thin-walled quantum well and finite potential height in a semiconductor structure of ZnSe / CdSe / ZnSe is modeled by the development of the transcendental equation, from equations cool. The excitonic bond energy Eb and the photoluminescence energy FL as a function of the wellbore L are presented by the capacitance depositions of CdSe thin on the ZnSe in the z direction, using the variational method and effective mass approach, each Of the results obtained here showed a good approximation with those reported in experimental investigations. Se modela la energía del estado base para el electrón y hueco confinados en un pozo cuántico de paredes delgadas y altura de potencial finita, en una estructura semiconductora de ZnSe/CdSe/ZnSe, mediante el desarrollo de la ecuación transcendental, a partir de las ecuaciones de onda. Se presenta la energía de enlace excitónica Eb y la energía de fotoluminiscencia FL en función del ancho de pozo L mediante las deposiciones de capaz delgadas de CdSe sobre el ZnSe en la dirección z, utilizando la aproximación del método variacional y de masa efectiva, cada uno de los resultados aquí obtenidos mostraron una buena aproximación con los reportados en investigaciones experimentales. Universidad Nacional Autónoma de Honduras 2019-12-19 info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion Peer-reviewed Article Artículo revisado por pares application/pdf https://www.camjol.info/index.php/fisica/article/view/9326 10.5377/ref.v7i2.9326 Revista de la Escuela de Física; Vol. 7 No. 2 (2019); 62-68 Revista de la Escuela de Física; Vol. 7 Núm. 2 (2019); 62-68 2412-2564 spa https://www.camjol.info/index.php/fisica/article/view/9326/10637 Derechos de autor 2020 Revista de la Escuela de Física
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Desarrollo Teórico de la Energía de Excitones en Microcavidades Semiconductoras de Capas Delgadas Generadas en Materiales de ZnSe y CdSe

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