Evaluación y selección de la primera cascada del preamplificador de retroalimentación óptica para detector de silicio-litio fabricado en el CEADEN
Se describen las principales características de los transistores de efecto de campo (FET) y diodos emisores de luz (LED) que permiten obtener una buena resolución energética en los detectores de SILI para fluorescencia de rayos X. Se exponen los valores de transconductancia (dl/dV) y corriente compu...
| Autores principales: | , , |
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| Formato: | Online |
| Idioma: | spa |
| Publicado: |
Editorial Tecnológica de Costa Rica (entidad editora)
2016
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| Acceso en línea: | https://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2855 |
| Sumario: | Se describen las principales características de los transistores de efecto de campo (FET) y diodos emisores de luz (LED) que permiten obtener una buena resolución energética en los detectores de SILI para fluorescencia de rayos X. Se exponen los valores de transconductancia (dl/dV) y corriente compuerta (lgss) para 16 FET investigados, así como los circuitos que se utilizaron para la medición. |
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